现任山东大学物理学院教授、博士生导师、副院长。国家杰出青年基金获得者、山东省杰出青年基金获得者、教育部新世纪优秀人才、德国洪堡学者。2008年获山东省自然科学一等奖，2010年被评为山东省有突出贡献的中青年专家。兼任国家自然科学基金委数理学部专家评审组成员、中科院物理所磁学国家重点实验室学术委员会委员、中国电子学会应用磁学分会学术委员会副主任。研究领域是自旋电子学，主要研究方向包括磁性半导体、自旋电子注入半导体、巨磁电阻等。

山东大学物理学院教授，博士生导师。亚历山大·冯·洪堡学者、教育部新世纪优秀人才、973课题负责人、山东省自然科学一等奖获得者。获授权国家发明专利4项，发表SCI 论文72篇，其中APL 11篇，PRB 11 篇，JAP 13篇。57篇论文总引用443次，他引338次。部分成果已被他人写进了教科书和特邀综述文章，并被许多研究组广泛采用。

（1）研制了具有独立自主知识产权的ZnCoO等6种高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体，发现这类新材料具有高居里点、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良物理特性，有望成为高效的自旋注入源。（2）提出了自旋相关的电子变程跃迁理论模型，定量解释了磁性半导体的磁电阻起源，提供了测量自旋极化率的新方法。（3）在金属Fe/Mn/Fe三层膜中发现了任意角度的层间耦合。（4）提出了外边界磁化自由转动的畴壁位移模型，解决了几种磁性薄膜的磁化反转机理。

1997年5月—2000年2月，德国于利希研究中心，亚历山大·冯·洪堡学者。

导师Peter Grünberg 教授，2007年诺贝尔物理学奖获得者。

1993年6月—1996 年6月，山东大学物理系，博士。导师梅良模教授。

1990年6月—1993 年6月，山东大学物理系，硕士。导师刘宜华教授。

1986年9月—1990 年6月，山东大学物理系，学士。

● 2002年10月—至今，教授，博导，山东大学物理学院。

设计和组建自旋电子学实验室，新添了分子束外延系统、脉冲激光沉积系统、

超导量子干涉磁强计、交流梯度磁强计、光致发光谱仪等大型仪器。

研究过渡金属化合物磁性半导体和自旋电子注入半导体。

● 2000年2月—2002 年10 月，研究员，美国亚拉巴马州大学和美国国家高磁场实验室。

研究软磁/硬磁双相复合的金属磁性多层膜。

● 1997年5 月— 2000 年2 月，亚历山大·冯·洪堡学者，德国于利希研究中心。

研究分子束外延金属Fe/Mn/Fe 三层膜的层间耦合、磁畴结构；

研究分子束外延单晶金属磁性薄膜的磁化反转机理。

● 1996年6月-2000年2月，讲师（1996），副教授（1998），山东大学物理系。

研究磁性金属多层膜的结构、磁性、层间耦合、巨磁电阻。

教授、博士生导师，山东大学基础学部学术委员会委员。

中国物理学会会员、中国电子学会高级会员、磁学分会委员。

德国洪堡基金会会员。

“海 右”全国博士生学术论坛—自旋电子学专题，济南，大会组织者，2009年4月。

CPS2008秋季学术会议，济南市，大会组织者之一，磁学分会召集人之一， 2008年9月。

2006年北京市国际材料周，磁性材料分会主持人，北京，2006年6月。

第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议的分会主席，天津市，2004 年5月。

Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., IEEE Trans. Magn., Chin. Phys. Lett., \u003c\u003c物理学报\u003e\u003e 等专业杂志审稿人

2008年，山东省自然科学一等奖（第一位），

磁性金属和磁性半导体薄膜的自旋和输运调控。

1997-2000年，亚历山大·冯·洪堡学者，德国于利希研究中心。

2005-2007年，入选教育部新世纪优秀人才计

2011年颜世申“铁磁金属、铁磁半导体材料及其异质结的磁性和电输运”获得2011年国家自然科学基金杰出青年基金资助，获得200万元经费资助。

(1) 国家重点基础研究发展计划项目，2007CB924903，高品质半导体磁性异质结构分子束外延生长和磁性研究，2007年—2011年，课题第二负责人（山东大学的课题负责人）， 390 万元，正在进行。

(2) 国家自然科学面上基金项目, NSF No. 10974120，自旋极化电子在磁性半导体及其异质结中的输运研究，2010.1—2012.12, 课题负责人，42 万元，正在进行。

(3)山东省杰出青年基金, 项目号JQ200901，过渡金属掺杂Ge基磁性半导体的制备、磁性和电子输运研究，2010.1—2012.12, 课题负责人，50 万元，正在进行。

(4) 国家973项目, 2002CB610603,自旋电子注入的材料结构、过程和控制, 2002.4—2006.10，课题负责人，236 万元，已完成。

(5) 国家自然科学面上基金项目, 50572053，非匀质化合物磁性半导体的自旋极化和电子输运，2006.1—2008.12，项目负责人，27万元，已完成。

(6) 教育部新世纪人才支持计划，NCET040634,亚纳米尺寸复合磁性半导体材料的制备、结构和性能；2005.1-2007.12，项目负责人，50 万元，已完成。

(7) 山东大学人才基金项目，新型过渡金属氧化物磁性半导体研究， 2003.1-2005.12，项目负责人，20 万元，已完成。

Controllable spin-polarized electrical transport in wide-band-gap oxide ferromagnetic semiconductors,YF系列火箭发动机Tian, Shi-shen Yan, M. W. Zhao, Y. Y. Dai, Y. P. Zhang, R. M. Qiao, S. J. Hu, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei, Y. Qiang, and J. Jiao, J. Appl. Phys. 107 （2010）033713-1-5.

Tunable rectification and giant positive magnetoresistance in Ge1−xMnx/Ge epitaxial heterojunction diodes，Y. F. Tian, J. X. Deng, S. S. Yan, Y. Y. Dai, M. W. Zhao, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei, Z. Y. Liu, and J. R. Sun，J. Appl. Phys. 107（2010）024514-1-4.

Long-ranged and high temperature ferromagnetism in Mn,C-codoped ZnO studied byfirstprinciples calculations, Xue-ling Lin, Shi-shen Yan, Ming-wen Zhao, Shu-jun Hu, Xin-xin Yao, Chong Han, Yan-xue Chen, Guo-lei Liu, You-yong Dai, and Liang-mo Mei, J. Appl. Phys. 107（2010）033903-1-4.

Origin of large positive magnetoresistance in the hard-gap regime of epitaxial Co-doped ZnO ferromagnetic semiconductors, Y. F. Tian, S. S. Yan, Q. Cao, J. X. Deng, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei, Y. Qiang, Phys.REVB 79 (2009) 115209-1-5.

Strong anisotropy of magnetization and sign reversion of ordinary Hall coefficient in single crystal Ge1-xMnx magnetic semiconductor films, J. X. Deng,YF系列火箭发动机Tian, S. M. He, H. L. Bai, T. S. Xu, S. S. Yan, Y. Y. Dai, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 062513-1-3.

firstprinciples study on ferromagnetism in 重症肌无力doped SnO2, C. W. Zhang and S. S. Yan,APPLPhys. Lett. 95 (2009) 232108-1-3.

Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In2O3 magnetic semiconductor,大前锋Xing, Y. X. Chen, S. S. Yan, G. L. Liu, L. M. Mei, Z. Zhang, J. Appl. Phys. 106 (2009) 043909-1-5.

Origin of ferromagnetism of Co-doped SnO2 from firstprinciples calculations, C. W. Zhang and S. S. Yan, J. Appl. Phys. 106 (2009) 063709-1-5.

Layered Titanium Oxide Nanosheet and Ultrathin Nanotubes: AfirstPrinciples Prediction, T. He, M. W. Zhao, X. J. Zhang, H. Y. Zhang, Z. H. Wang, Z. X. Xi, X. D. Liu, S. S. Yan, Y. Y. Xia, L. M. Mei, J. Phys. Chem. C 113 (2009）13610-13615..

Orientation-Dependent Stability and Quantum-Confinement Effects of Silicon Carbide Nanowires, Z. H. Wang, M. W. Zhao, T. He,HYZhang, X. J. Zhang, Z. X. Xi, S. S. Yan,XDLiu, Y. Y. Xia, J. Phys. Chem. C 113 (2009）12731-12735.

firstPrinciples Study of Faceted Single-Crystalline Silicon Carbide Nanowires and Nanotubes, Z. H. Wang, M. W. Zhao, T. He, X. J. Zhang, Z. Xi, S. S. Yan,XDLiu 安德鲁Y. Xia, J. Phys. Chem. 113 (2009）856-861.

Magnetic properties and antiferromagnetic coupling in inhomogeneous Zn1-xFexO Magnetic Semiconductor, J. X. Deng, S. S. Yan, L. M. Mei, J. P. Liu, B. AltunCEVAhir, V. Chakka, Y. Wang, Z. Zhang, X. C. Sun, J. Lian, K. Sun, Chin. Phys. Lett. 26 (2009) 027502-027505.

Correlation between the vacancy defects and ferromagnetism in graphite, X. M. Yang, H. H. Xia, X. B. Qin, W. F. Li, Y. Y. Dai, X. D. Liu, M. W. Zhao, Y. Y. Xia, S. S. Yan, B. Y. Wang, CARBON 47 (2009) 1399-1406.

电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，专利号 ZL200710115811.6，授权日 2009年12月，发明人 颜世申、陈延学、刘国磊、梅良模、田玉峰、乔瑞敏。

非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜的制备方法，专利号 ZL200510043640.1，授权日 2007年11 月21日，发明人 颜世申、陈延学、宋红强、刘国磊、梅良模。

亚纳米复合制备氧化锌基磁性半导体材料的方法，专利号 ZL 03139039.0, 授权日 2006年4 月26日，发明人梅良模、颜世申、陈延学、任妙娟、季刚。

非匀质Zn-Co-O磁光薄膜及其制备方法，专利号 ZL 200610043854.3，授权日2010年2月5日，发明人 陈延学、颜世申、张云鹏、刘国磊、梅良模

单晶GeMn磁性半导体/Ge磁性异质结二极管及其制备方法，申请日 2009年8月6日，申请号200910017191.1, 申请人 山东大学，发明人 颜世申、田玉峰、邓江峡、陈延学、刘国磊、梅良模。

磁性增强的H掺杂MnGe磁性半导体薄膜，申请日 2008年3 月7日，申请号200810014729.9, 申请人 山东大学，发明人 颜世申、姚新欣、乔瑞敏、秦羽丰、孙毅彦、陈延学、刘国磊、梅良模。

非晶态Zn-Fe-O铁磁性半导体材料及其制备方法，申请日2006年4月25日，申请号 200610043855.8，发明人梅良模、颜世申、陈延学、刘国磊。

亚纳米CoZnO紫外发光薄膜及其制备方法，申请日 2005年1 月20日，申请号200510042037.1, 申请人 山东大学，发明人 颜世申、陈延学、任妙娟、梅良模。

第二届法中“半导体量子信息和自旋电子学”研讨会，法国图卢兹，2009年10月11-16日，Ge-based magnetic semiconductors and GeMn/Ge diodes, Shi-shen Yan，特邀报告。

中英纳米自旋电子学专题研讨会，英国伦敦，2008年9月8日-12日，Study of diluted and concentrated oxide magnetic semiconductors，Shi-shen Yan，特邀报告。

The 2nd WUN International Conference on Spintronic Materials and Technology, 2008 年7月13-16，南京，Controllable magnetic and transport properties of oxide ferromagnetic semiconductors, Shi-shen Yan，特邀报告。

第十六届全国半导体物理学术会议与半导体自旋电子学特殊研讨会，2007 年，兰州，宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究，颜世申，特邀报告。

The 1st Chinese-French Workshop on Quantum Manipulation of Spin in semiconductor, Beijing, 2007，Magnetic semiconductor: from dilute to high concentration of transitional magnetic elements, Shi-shen Yan, 特邀报告。

中国物理学会2007年秋季会议，2007年9月，南京市，磁性半导体中自旋相关的变程跃迁及其电的磁的相互作用，颜世申，磁学分会特邀报告。

2006年北京市国际材料周（2006年中国材料研讨会），北京，2006年6月27-30，高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体研究，颜世申，磁性材料分会特邀报告。

第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议，天津市，2004 年5月27-31日， ZnCoO 磁性半导体研究，颜世申，大会特邀报告。

systematical study on an ideal model system of soft/hard exchange-coupled NiFe/SmFe bilayers，Shi-shen Yan，2003年海峡两岸磁性物理、材料和应用研讨会， 2003年2月21－25日，海南，博。（大会特邀报告）