SK海力士半导体(中国)有限公司,成立于2005年,位于
江苏省无锡市,是一家从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。
SK海力士半导体(中国)有限公司是由韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂,主要生产、加工和销售8英寸和12英寸集成电路芯片,主要产品为0.11微米及以下线宽的存储器、消费类产品、SOC芯片等。2023年10月13日,美国同意
三星电子和SK海力士在无需单独批准的情况下,向其中国工厂供应含美国技术的半导体设备。公司在无锡进行了多次增资技术升级,累计投资额约200亿美元,已成为
江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资企业。
2004年SK海力士与中国江苏省
无锡市签署建厂协议。于2005年4月正式投资设立了SK海力士半导体(中国)有限公司。
2005年,SK海力士半导体(中国)有限公司成立后,一期项目投资正式投入,开始厂房。2006年开始生产DRAM,当时建成的C2
流水线是SK海力士的第一个300毫米晶片工厂(FAB),为SK海力士的发展起到了重大作用。
2007-2008年,二、三期项目投资相继投入。2019年4月18日,SK海力士发布在中国无锡举行了DRAM流水线C2F的竣工仪式。C2F在原有DRAM半导体
输送流水线(C2)的基础上进行扩建,
建筑面积达到5.8万平方米。这次扩建将无锡工厂的DRAM产能从原来的12万张
晶片提高到了18万张”,SK海力士半导体(中国)工厂产能占SK海力士DRAM总产能的比例也将提高到40~50%。2010年,4xnm DRAM内存芯片开始量产;2011年,四期项目投资启动,3xnm DRAM内存芯片开始量产。
2012年,公司由原来名称“海力士-恒忆半导体有限公司”更名为“SK海力士半导体(中国)有限公司”。2013年,五期项目投资开始;2016年,2xnm DRAM内存芯片量产。2017年,六期项目投资正式投入,C2F开工。2018年,设立无锡销售总部;C2F洁净室拆封。
2019年,C2F工厂竣工生产。2020年1月,SK海力士与
无锡国家高新技术产业开发区签署投资合作协议共建
集成电路产业园。项目总投资20亿元,重点围绕SK海力士上下游产业链,着力打造以SK海力士为龙头、各类优质配套企业和研发培训中心聚集的半导体产业
总部经济集群。
2021年06月,无锡高新区与SK海力士系统集成电路及科尔泰战略合作协议签约仪式举行。科尔泰将为SK海力士系统集成电路提供专业的产品可靠性测试及不良原因分析技术服务,在SK海力士系统集成电路及IC设计类企业间搭建有效连接。SK海力士半导体(中国)医院项目开工。
2022年,SK海力士半导体(中国)有限公司相继与
无锡商业职业技术学院、
江苏信息职业技术学院签订校企合作协议。
2022年,SK海力士在无锡二工厂技术改造一期开工。2023年10月13日,美国同意
三星电子和SK海力士在无需单独批准的情况下,向其中国工厂供应含美国技术的半导体设备。
2024年3月19日,SK海力士宣布,已开始量产下一代高
带宽存储芯片HBM3E。
SK海力士半导体(中国)有限公司由韩国SK海力士株式会社投资设立。原企业法人代表
李锡熙(LEE SEOK HEE),于2022年5月11日变更为郭鲁正(KWAK NOHJUNG)。
SK海力士半导体(中国)有限公司主要业务为生产、加工和销售8英寸和12英寸
集成电路芯片;主要产品为0.11微米及以下线宽的存储器、消费类产品、SOC芯片;自有房屋租赁,物业管理;半导体设备的销售、租赁。
SK海力士半导体(中国)有限公司制定产业保安方针:将包含
核心人才、知识财产在内的公司的所有有形、
无形财产当作公司竞争力的原动力,认为展开产业安全活动不仅对公司的美好未来,还对维护国家利益发挥举足轻重的作用。由此确立自愿参与的安全文化,追求公司可持续发展。
2013年9月4日下午3点半左右,
新吴区海力士公司的生产车间发生气体泄漏,引发车间屋顶排气管
洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救,截至当日18点,明火已全部扑灭。
2024年7月15日,
天眼查经营风险信息显示,SK海力士半导体(中国)有限公司因未依照规定的期限公示年度报告,被
无锡国家高新技术产业开发区(
无锡市新吴区)市场监督管理局列入经营异常名录。