锑化单晶是周期表第皿，V族元素化合物半导体共价键结合，有一定离子键成分。

定义信息

方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.5.17.775gIrM3o熔点525`x'。为直接带隙半导体。室温禁带宽度0.IAeV，本征载流子浓度1.l y102z1m3，本征电阻率(}x10-}}'m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为to和l).17澎/ } V's)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。