锑化是一种由铟和
锑组成的金属间化合物，可由铟和锑两种
单质高温反应制得。它是一种
半导体材料，广泛应用于制备、
红外线导引导弹制导和红外
天文学等领域。锑化铟是制作波长为3～5μｍ的红外探测器的重要材料，用于制
太阳能光伏型或
光导型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。锑化铟的CAS号是1312-41-0，EINECS号是215-192-3，
分子式是InSb，分子量是236.578。锑化铟在红外探测器中具有重要的应用，包括热成像相机、
FLIR系统、红外
精确制导导弹系统和红外天文学等领域。锑化铟
探测器对1至5μm的红外波长非常敏感。此外，锑化铟还可作为太赫兹辐射源，因为它是一种强的
光电导效应发射体
锑化铟
单晶(
铟 antimoningle crystal InSb)
共价键结合，有一定
离子键成分。
立方晶系闪锌矿型结构，晶格
常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。
熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征
载流子浓度1.1×1022/m3，本征
电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的
电子和
空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用
区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外
光电探测器、霍耳器件和
磁阻器件。