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反刻

在半导体制造过程中，刻蚀技术可以根据不同的方法和条件进行分类。其中，根据是否有掩蔽层的存在，刻蚀工艺可分为有图形刻蚀和无图形刻蚀两类。

有图形刻蚀

这种刻蚀工艺是在目标区域上使用掩蔽层来保护不需要被刻蚀的部分，从而实现对特定形状或图案的精确加工。这种方法常用于制作集成电路等精细电子元件。

无图形刻蚀

相比之下，无图形刻蚀则没有使用掩蔽层，而是直接对整个待处理区域进行刻蚀。这种工艺通常应用于大面积的均匀刻蚀，比如在平坦化硅片表面的过程中，需要减少形貌特征以达到所需的平整度。

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有图形刻蚀

无图形刻蚀

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