《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。

《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。

《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。

开本：大16开

期刊级别：08版北京大学核心

该刊被以下数据库收录：

CA 化学文摘（美）（2009）

SA 科学文摘（英）（2009）

CBST 科学技术文献速报（日）（2009）

Pж（AJ）文摘杂志（俄）（2009）

EI 工程索引（美）（2009）

中国科学引文数据库（CSCD—2008）

核心期刊：

中文核心期刊（2008）

中文核心期刊（2004）

中文核心期刊（2000）

中文核心期刊（1996）

中文核心期刊（1992)

《半导体学报》获奖情况：中科院优秀期刊二等奖（90）、全国优秀期刊三等奖（92）、全国优秀期刊三等奖（97）；

编委会第11届编辑委员会名单(2011-2015)主编Li Shushen (李树深)副主编 Wang Zhiming (王志明)委员Z I Alferov (Russia)F Balestra (France)Ban Shiliang (班士良)J C Bourgoin (France)Cai Yici (蔡懿慈)Chen Hongyi (陈弘毅)Chen Zhiming (陈治明)Chiu Tzuyin (邱慈云)A Y Cho (USA)Dai Lun (戴伦)Deng Hangjun (邓航军)Du Guotong (杜国同)Feng Songlin (封松林)公姓 Min (龚敏)Guo Liwei (郭丽伟)Guo-Qiang Hai (Brazil)Sui-Kong Hark (Hong Kong, China)Hao Yue (郝跃)He Deyan (贺德衍)He Lixin (何力新)M Henini (UK)Huang Qing’an (黄庆安)Huang Ru (黄如)Quanxi JIA (USA)Jiang Fengyi (江风益)Jie Binbin (揭斌斌)Jin Zhi (金智)Li Jinmin (李晋闽)M F Li (Singapore)Lin Yuan (林媛)Juin J Liou (USA)Liu Xiaoyan (刘晓彦)Lu Fang (陆昉)Lu Wei (陆卫)Luo Yi (罗毅)Vojin G. Oklobdzija (USA)Carlos A. Paz de Araujo (USA)Qi Ming (齐鸣)Qian He (钱鹤)Qian Peixin (钱佩信)Ren Junyan (任俊彦)Ren Xiaomin (任晓敏)Chihtang Sah (薩支唐)Harald Schneider (Germany)Shan Chongxin (单崇新)Shao Zhibiao (邵志标)Shen Wenzhong (沈文忠)Aimin Song (UK)Greg Sun (USA)S M Sze (Taiwan, China)K L Wang (USA)Lin-Wang Wang (USA)Suhuai Wei (USA)Xu Ningsheng (许宁生)Yang Deren (杨德仁)Rui Q. Yang (USA)Ye Zhizhen (叶志镇)Yu Hong Yu (Singapore)Zhang Guoyi (张国义)Zhang Pengfei (张鹏飞)Zhang Rong (张荣)Zhang Xing (张兴)Zhang Yimen (张义门)Zhang Yuming (张玉明)Zhang Wanrong (张万荣)Zhao Zhengping (赵正平)Zhou Yumei (周玉梅)编辑部主任：李树深编辑部副主任：邓航军 成员：李树深，邓航军，王琳，金瑞琴

《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所共同主办的国家一级刊物（月刊，国内外公开发行），被EI、CA、SA、AJ等收录，主要报道半导体物理、材料、器件、集成电路、工艺等领域的最新科研成果。

1 总则

请遵守学术规范和准则，勿一稿多投，在稿件中勿出现抄袭、剽窃他人成果的内容。作者向《半导体学报》投稿，意味着在稿件被录用后作者同意把该文的版权（含光盘、网络等各种介质）转让给《半导体学报》编辑部。稿件必须用英文撰写，用A4纸单栏、隔行排版，字号不小于五号字。如果文章需要快速发表，需和编辑部联系并说明理由。

2 来稿要求

稿件应观点明确，数据可靠，言简意，重点突出。与本文内容类似或密切相关的已发表论文，应列入参考文献，以示尊重。

2.1 题目、作者、单位和摘要

题目应简洁、准确，不宜太长，题目不宜超过10个实词。文章的作者署名在投稿时应明确，以后不宜更改。作者单位需写出浙江人本鞋业有限公司、所在城市和邮政编码。摘要应语义确切，表述简明，宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论。文后需附中文题目、作者、单位、摘要和关键词。

2.2 关键词、PACC或EEACC

应给出反映文章特征内容，通用性比较强的关键词3～6个；PACC或EEACC专业代码1～3个。

2.3 基金及其批准号

若文章得到省、部级以上基金资助，应给出基金的全称及其批准号。

2.4 缩略词、符号及计量单位

摘要和正文中的缩略词在第一次出现时都必须写出全称。外文字母、符号必须分清大小写，正、斜体，上、下角。计量单位请用国家法定计量单位，全文文种要始终一致。

2.5 图、照片、表

图和照片按出现先后顺序编号，图的宽度一般不超过8cm，图框宜细，刻度向里，曲线略粗，黑色要黑，线条要匀，图中文字应与正文一致。照片要求黑白反差大，层次清晰。表格应简洁、明确，宜用三线表。

正式排版时将直接采用作者提供的图，因此需要作者提供高质量的图。在图被缩小至半栏或通栏尺寸时，图中的文字和线条必须保持清晰，文字大小合适（6号字），坐标刻度疏密适中。

在电子版中可免费使用彩色图或照片，如果在印刷版中使用彩色图或照片，每页需付1200元费用。

2.6 参考文献

参考文献按在正文中出现的顺序编号，用方括号括住置引文处右上角，并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料，中文参考文献需翻译成相应的英译。参考文献著录项目应齐全。

期刊的格式为：作者（列前三名）. 题目. 刊名, 年份, 卷（期）：页码

例：Zhang Heqiu, Mao Lingfeng, Xu Mingzhen, et al. Effect of neutral traps on tunneling current and SILC in ultrathin 氧化物 layer. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(4):367

书籍的格式为：作者（列前三名）. 书名. 出版地：出版社, 年份

例：Schroder D K. 半导体 material and device characterization. 纽约: John Wiley \u0026 Sons, 1990

3 评审

来稿将送有关专家审阅。审稿周期大约为45天。作者在收到修改意见后，须在3周内修改完成。刊登与否由编委最后审定。不拟刊登之稿，会尽快函告作者。

4 投稿

请登录《半导体学报》网站投稿，不接收Email或邮寄投稿。有关稿件状况可在网上查询。接收LaTeX文件，在稿件被录用后如果能提供LaTeX源文件将有助于文章的快速发表。

1.  半导体学报自2009年起设半导体物理、半导体材料、半导体器件、半导体集成电路、半导体工艺等栏目。

2. IC，特别是VLSI，已经是一个系统或子系统，覆盖广泛的学科跨度，包括：（1）算法、软/硬件协同、模块结构、逻辑网表；（2）电路结构、物理布图、器件性能、工艺实现。其中（1）的内容与半导体的学科距离较大，相关论文我们不接收。

电路设计包括射频、模拟、数字电路。相关论文应为基于晶体管级的设计，其创新点应以电路理论的分析作为依据。这样的论文比较符合我刊的学术方向。如果只是提出一个电路结构，做了一下仿真验证，就很难体现论文的学术内涵。

如果说有关模拟、数字电路设计的文章尚可以不要求工艺实现的话，而有关射频的电路设计则一定要有工艺实测，这是因为：（1）射频电路受寄生参数影响很大，（2）有关射频的saber仿真软件工具尚不及模拟的成熟，更不及数字的成熟。

3. 对于“集成电路”类稿件应该有与半导体相关方面的内容，如IC电路设计论述中包含的所用器件新设计、结构、设计参数优化、参数提取方法；IC设计中器件物理效应利用、处理或引伸；版图设计特色及优化等，如果仅仅是单纯电路、系统本身改进或是电路理论、电路算法等处理，而文中只是挂了“集成电路”之名的论文应改投其他更合适的刊物（如电子学报、电路与系统学报等期刊）。另外，VLSI设计和SOC设计应是以芯片为主或与芯片有关，例如芯片的物理参数对电路性能的影响。

4. 半导体学报上的文章基本上全部被EI收入，但是个别摘要特别简单的文章可能不会被收入。因此，为了你的文章被检索机构收入，请把中英文摘要写得详细一些，详细写明文章的目的、方法、结果和结论。

5. 在文章正式发表前半个月，编辑部会把文章清样的电子版发给作者校对，请作者务必认真校对并把需修改的地方告知编辑部（因为这是清样，不宜作大的修改），否则出现问题，编辑部不再负责。

6. 为了方便联系，作者的Email、电话、通信地址等有变化时，请及时到网站上更新。

7. 半导体所的作者投稿时，请到财务处办理审稿费的转账手续（填蓝色报销单），同时填写下面的回执并请财务处盖章，把盖好章的回执交编辑部作为已交审稿费的凭证。