三甲基硅是一种有机硅化合物，化学式为C3H10Si，呈碱性，为强碱。它是一种极易燃的物质，用于半导体工业中的等离子相腐蚀剂。三甲基硅烷在半导体工业中也被用作前体物质，通过等离子增强化学气相沉积（PE-CVD）沉积介电层和屏障层。此外，它还被用作源气体，通过等离子增强磁控溅射（PEMS）沉积TiSiCN硬涂层。在相对较低的温度下（低于1000°C）通过低压化学气相沉积（LP-CVD）沉积碳化硅硬涂层。三甲基硅烷是一种昂贵的气体，但比硅烷（SiH4）更安全，并且能够产生多源气体中所不具备的涂层性能。与相关的三乙基硅烷相比，三甲基硅烷不常用作试剂，因为三乙基硅烷在室温下是液体。

中文名称：三甲基硅烷

分子式：C3H10Si

分子量：74.197

InChI：InChI=1/C3H10Si/c1-4(2)3/h4H,1-3H3

沸点：1.7°C at 760 mmHg

蒸汽压：1710mmHg at 25°C

本物质是三甲基硅烷基氯化镁（Me3SiMgCl）的共轭酸，为超强碱，其pKa=70。