面垒型半导体探测器是一种应用于射线测量的半导体探测器。

这种类型的探测器通常采用金硅面垒型，即在经过特殊处理的单晶片表面上蒸发一层薄金来制造。这个金属-半导体界面具有整流特性，在工作状态下，涂金层充当阴极，而硅基片的另一侧则通过蒸发一层薄铝或镍形成电极接触引线，这些引线连接至电源的正极。为了能够检测由探测器产生的电脉冲信号，使用时需要配备电荷灵敏度的放大器。

面垒型半导体探测器广泛应用于射线测量领域，尤其是金硅面垒型因其独特的性能而在相关技术中得到广泛应用。