张硕，男，博士，教授（四级），硕士生导师。张硕教授以Chen-Möbius多重晶格反演数论方法，主要从事基于第一原理计算的离子晶体、稀土金属间化合物、过渡金属、化合物半导体、核反应堆器壁材料及Ge-Sb-Te相变存储材料和超硬材料晶体结构演变相关的原子间相互作用势方向的计算模拟研究开发工作。

1999年到日本冈上理科大学光藤实验室进行环境功能材料研修；2005年获国家基金委基础课教师出国研修经费支持，到美国伊利诺伊大学进行教学法研修，获合格证书。

张硕老师，教学严谨，为人风趣幽默，除完成好繁重的研究任务外，还非常重视承担，学院内本科教育工作。主讲固体物理等学科，以深犀利的语言深受学生喜爱。

1．2011-2015，年作为学术骨干参与973项目：面向性能的材料集成设计的科学基础问题中的课题名称：材料原子势库创新服务系统（编号：2006CB605101）；

2. 2006-2010，年作为学术骨干参与973项目：基于集成计算的材料设计基础科学问题中的课题：复杂材料原子间相互作用势库的创新与拓展（课题编号：2011CB606401）；

基于Finnis-Sinclair形式嵌入原子相互作用势模型，以简单第一性计算结果作为数据源，以双重晶格反演方法，进行金属及金属间化合物的原子间相互作用势研究；并进行有关的分子力学、分子动力学和晶格动力学计算，提供相稳定性、高压相变及低维纳米结构演变相关的原子级图像，阐述结构性能变化的原子构型关系；2.利用多重晶格反演方法，结合变电荷模型，获取反映与电荷相关的有效原子间相互作用势，建立化合物半导体原子间相互作用势库，以大规模的原子级模拟描述低维纳米结构的形成机制；3.在经验原子相互作用势的基础上，拓展晶格反演方法至间隙结构，获得有效的Be-W和Fe-He等核反应堆器壁材料原子间相互作用势，揭示决定核反应堆材料安全的原子扩散机制；4．在低维原子结构材料的皱褶及应力结构演变基础上，进一步运用晶格反演方法获取可反映sp3→sp2化学键性质的原子间相互作用势，展现不同尺度和边界条件的低维材料原子结构演变的规律。

于2006年，获云南大学伍达观优秀教师奖。

1．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2002)，Ab initio interionic potentials for NaCl by multiple lattice inversion, Physical Review B66, 064106

2．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2003)，Lattice inversion for interionic pair potentials, Journal of Chemical Physics118, 3974

3．Shuo Zhang,(2003)，Nanxian Chen,Determination of the B1-B2 transition path in RbCl by Mobius pair potentials, Philosophical Magaazine 83(12),1451

4．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2003)，Energies and stabilities of sodium 氯化物 lusters based on inversion pair potentials, Physica B325, 172

5．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2003)，Molecular 动力学 simulations for high-压强 induced B1-B2 transition in NaCl by Mobius pair potentials , Modelling Simul Mater. Sci. Eng.11(3):331-338

6．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2003)，Study on the high-pressure properties of KCl crystal by inversion pair potentials, Materials Science and Engineering B99, 588

7．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2003)，Atomistic simulations of B1-B2 phase transition in KCl based on inversion pair potentials, Acta Materilia 51/20, 6151

8．Shuo Zhang, Nanxian Chen,(2005), Lattice inversion for interatomic potentials in AlN, GaN and InN, Chem. Phys. 309，309-321