长鑫存储技术有限公司，简称长鑫存储，是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取
存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。公司创立于2016年，并于2017年11月16日注册登记，注册地址为安徽省
合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号，长鑫存储总部位于安徽合肥。法定代表人是赵纶。
长鑫存储以技术为核心，加强管理体系的建设，在
奇梦达技术的基础上，利用专用研发线快速迭代研发，同时结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出独有的技术体系，成为奇梦达技术的继承者和发扬者，2019年底，长鑫存储从Polaris获得DRAM技术专利的实施许可。截至2021年有47位博士，918位硕士，拥有行业顶尖海外研发和管理人才担任技术顾问。承担国家科技重大专项项目《19nm DRAM产品研发与产业化》，申请中国专利超过2000件，获取发明专利授权和实用新型授权近800件，申请PCT国际专利近100件，软件著作权近20件。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。长鑫存储技术有限公司的二期扩建预计于2024年底前完成。
2022年第三届中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上，《中国半导体企业100强》排行榜正式发布。榜单显示，长鑫存储排名第10位。同年11月2日，中科院《
互联网周刊》、eNet硅谷动力、德本咨询联合发布“2022
集成电路独角兽企业TOP50”，长鑫存储技术有限公司在其中。
2016年5月，长鑫存储的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售。次年3月，长鑫存储(合肥)基地一期项目开工建设。2018年1月，合肥基地一期厂房建设完成，开始设备搬入。在2018年7月验证投片，试产8GbDDR4工程样品。2019年9月，8Gb DDR4亮相世界制造业大会。2019年11月获得首笔订单，产品销售由此启动。2019年底，长鑫存储从Polaris获得DRAM技术专利的实施许可。
长鑫存储技术有限公司于2022年7月申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117525031A。11月25日，长鑫存储与上海
闵行区、
上海临港经济发展集团有限公司签订三方战略合作协议。2023年11月28日，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。长鑫存储也成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌。长鑫存储技术有限公司的二期扩建预计于2024年底前完成，每月增加40000片晶圆，让长鑫存储的DRAM总产能达到全球规模的10%。
长鑫存储技术有限公司专业从事动态随机存取存储芯片DRAM的研发、生产和销售。长鑫存储自2016年成立以来，以技术为核心，加强管理体系的建设，在
奇梦达技术的基础上，利用专用研发线快速迭代研发，同时结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出独有的技术体系，成为奇梦达技术的继承者和发扬者。长鑫存储当前研发、生产范围主要包括DDR4内存芯片、LPDDR4X 内存芯片、DDR4 模组。长鑫存储自主研发的 DDR4 内存芯片，是首颗国产DDR4芯片，拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗，可应用于PC、
笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。LPDDR4X 内存芯片能提供高效能与低功耗的解决方案。DDR4 模组是目前内存市场主流产品，可服务于个人电脑和服务器等传统市场，以及
人工智能和物联网等新兴市场。长鑫存储将凭借值得信赖的产品和服务满足不断增长的市场需求，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储芯片公司，以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。
2022年11月2日，中科院《
互联网周刊》、eNet硅谷动力、德本咨询联合发布“2022
集成电路独角兽企业TOP50”，长鑫存储技术有限公司在其中。