王圩
半导体光电子学家
王圩(1937年12月25日-2023年1月26日),文安县人,中国科学院院士,半导体光电子学家,曾任中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。他的主要研究领域包括半导体材料和器件。王圩在中国光纤通信用半导体光电子器件的发展中做出了重要贡献。2023年1月26日,王圩因病医治无效,在北京逝世,享年86岁。
人物经历
1960年毕业于北京大学物理系半导体专业,同年到中国科学院半导体研究所工作至今,现任中科院半导体研究所研究员。1987年赴日本东京工业大学访问研究一年。60年代,他率先在国内研制成功无位借硅单晶;参与开拓并负责建立了Ⅲ—V族化合物外延方法,解决了高掺杂和结偏位等关键问题,为使我国GaAs激光器的工作温度从77度K提高到室温作出了贡献:70年代,率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管,成功地应用在夜视、引信、打靶和精密测距仪上,并推广到工厂生产,为后来室温连续工作的短波长双异质结激光器的发展打下了基础。 80年代,他又率先在国内研制出室温连续工作的1.55微米四元激光器,为国内第三代光纤通信研究提供了长波长光源。1987年在日本东京工业大学创新地提出了一种内岛条形眼流结构的集束导波分布反射(BIG-KBR)激光器,获得了当时先进水平的4兆赫线宽单纵横输出;随后回国主持研制成功国内首批1.55微米动态单频分布反馈(DFB)激光器,解决了国内发展第三代长途干线大容量光纤通信的急需。他在90年代,在国内首先研制成功应变量子阶1.55微米DFB激光器,使中国光通信用激光器的研究和国际新一代能带工程研究接轨;近年来指导研究生开展了DFB主振激光器与扇形结构光放大器的单片集成研究,并与香港中文大学合作,创新地提出了含扇形光栅的双段DFB激光器,在国际上首次获得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脉冲。他发表学术论文30余篇。先后获国家科技成果奖国家科学技术进步奖二等奖,国家“六五”科技攻关奖和863计划“七五”攻关奖、中国科学院科技进步一等奖等。1997年当选中国科学院院士。
主要成就
科研成就
王圩早期从事无位错硅单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物异质结液相外延研究,为使中国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。1979年开始从事长波长镓磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究,其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件等。
根据2021年8月何梁何利基金网站显示,王圩先后发表相关论文99篇。
根据2021年8月何梁何利基金网站显示,王圩先后获得中国材料研究学会科学技术一等奖一次;国家科学技术进步奖二等奖两次;中国科学院科技进步奖一等奖一次、二等奖两次;国家“六.五”攻关奖一次;凝炼出了40项相关发明专利技术(已获国家发明专利授权16项)。
人才培养
根据2021年8月何梁何利基金奖网站显示,王圩先后培养的5名硕士、22名博士研究生中,有两名获得中国科学院院长奖,一名获得教育部宝钢奖。
王圩的招生专业是:微电子学与固体电子学、物理电子学。
王圩的招生方向是:基于InP光电子器件的集成、半导体激光器。
王圩教授《光子集成芯片材料与器件进展》《光子芯片集成材料与器件进展》课程。
荣誉表彰
社会任职
个人生活
王圩和夫人吴德馨都是20世纪60年代初大学毕业,学的都是半导体,一毕业就都分到了中科院半导体研究所。王圩1960年大学毕业,吴德馨1961年大学毕业,吴德馨于1991年当选为中国科学院学部委员(院士)。
人物评价
王圩为中国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献。(中国科学院评)
他为中国半导体光电子科技事业及其产业化发展做出的系统性和创新性的突出贡献,勇于创新、锐意进取的科学精神,爱国奉献、平易近人的高尚品德,以及在青年科技人才培养方面取得的突出成绩,受到了广泛赞誉。(2017年12月24日中国科学院院长、党组书记白春礼在贺信中评)
王圩院士的一生,是无私奉献的一生,是光荣伟大的一生,他对国家和人民无限忠诚,将毕生精力奉献给了我国科技与教育事业。他富有远见卓识和开创精神,以国家的重大需求为目标,为我国的半导体事业作出重大贡献。他严于律己,克己奉公,治学严谨,为人谦和。他的业绩和品德,为中国科技事业树立了一座不朽的丰碑,他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰。(王圩院士治丧委员会评)
人物影响
王圩院士从事科研工作60周年。
2017年12月24日,中国科学院半导体研究所学术会议中心举行王圩院士从事科研工作60周年暨DFB组成立30周年学术交流会。
代表论著
W.Qiu, 王圩 J.越南盾, J.Dong, F.ZhoJ.Y.ZhangH.L.Zhu,andL.J.Zhao,“Selective-areaMOCVDgrowthfordistributedfeedbacklasersintegratedwithverticallytaperedself-alignedwaveguide” J.CrystalGrowth,Vol.250,No.3-4,pp583-587,2003 王圩,H.L.Zhu,F.Zhou,B.J.Wang,J.Y.Zhang,L.J.Zhao,“TunableDBRLaserFabricatedbyBundleIntegratedGuide”(inEnglish),ChineseJournalofSemiconductorVol.24,二氧化氮,PP113-116,2003
W.Qui,王圩,J.越南盾,J.Y.Zhang,H.L.Zhu,F.Zhou,“SpotsizeConverterIntegratedDFBLaserDiodeUsingSelectiveAreaGrowthMOCVD”(inEnglish),ChineseJournalofSemiconductor,Vol.23,No.5,pp459-463,May2002
王圩,R.Y.Zhang,J.Dong,Z.W.Feng,F.Zhou“Polarization-insensitivesemiconductoropticalamplifierwithgradedtensilebulk-likeactivestructure”OECC2002(invitedpaper)2002.7,Japan.
G.L.Liu,王圩,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,X.J.Zhang,“Self-alignedCoupledWaveguideDBRLasers”(inEnglish),ChineseJ.Lasers,Vol.B11,二氧化氮,pp87-90,2002
Y.Sun,王圩,W.X.Chen,G.L.Liu,F.Zhou,H.L.Zhu,“HighExtinctionRatioPolarizationIndependentEA-Modulator”(inEnglish),ChineseJ.Semiconductors,Vol.22,No.11,pp1374-1376,2001
王圩,G.L.Liu,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,“HighSpeedDFBLaserandEMLs”Proc.SPIE,Vol.4850,pp26-34,2001
B.Chen,W.Wang,X.J.Wang,J.Y.Zhang,F.Zhou,“ANovel1.3-mmHighT0AlGaInAs/InPStrainedMulti-QuantumWellComplex-CoupledDFBLaserDiode”JpnJ.Appl.Phys.Vol.38,pp5096-5100,1999
王圩,J.Y.Zhang,H.L.Tian,Y.B.Miao,X.J.Wang,C.L.M.Wang,J.H.Gao,H.H.Gao,“1.5mmInGaAsP/InPRW-DFBLaser”InternationalJ.Optoelectronics,Vol.7,No.1,pp63-69,1992
王圩,M.T.Pang,K.Komori,K.S.Lee,S.Arai,Y.Suematsu,“AModified1.5mmGaInAsP/InPBIG-DBRLaserwithanInnerIslandSubstrate”,JpnJ.Appl.Phys.,Vol.27,No.7,ppL1313-L1316,1988
参考资料
目录
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个人生活
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代表论著
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