杨德仁，1964年4月出生于扬州市，半导体材料学家，中国科学院院士，浙江大学材料科学与工程学院教授、博士生导师，半导体材料研究所所长，硅材料国家重点实验室（浙江大学）主任。

1985年杨德仁从浙江大学材料系本科毕业；1991年获得浙江大学博士学位；1993年从浙江大学博士后出站，并晋升副教授；1995年初赴德国弗莱贝格工业大学工作；1997年晋升为浙江大学教授；1998年入选浙江省跨世纪科学和技术带头人第一层次；2000年被聘为特聘教授；2002年获得国家杰出青年科学基金资助；2007年担任科技部“国家重点基础研究发展计划专项”（973）首席科学家；2016年获得全国五一劳动奖章和浙江省劳动模范称号；2017年当选为中国科学院院士。

杨德仁长期从事半导体硅材料的研究，包括超大规模集成电路用硅材料，太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料和纳米硅半导体材料。被列入到2020年全国劳动模范和先进工作者推荐名单中。2020年11月24日，荣获“全国先进工作者”称号。

1975年，杨德仁杨考入江苏省扬州市第一中学，先后就读于初中部和高中部。

1981年，杨德仁高中毕业后考入浙江大学，就读于金属材料热处理专业，先后获得学士（1985年）、硕士学位和博士学位（1991年）。

1991年，杨德仁从浙江大学硅材料国家重点实验室获半导体材料工学博士毕业后，进入浙江大学材料科学与工程博士后流动站工作，其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。

1993年，杨德仁从博士后流动站出站后晋升为副教授。

1995年初，杨德仁赴德国弗莱贝格工业大学工作。

1997年5月，杨德仁被浙江大学特批晋升教授。

1998年初，杨德仁从德国回国后，在硅材料国家重点实验室工作，担任副主任、博士生导师。同年入选浙江省跨世纪科学和技术带头人（"151"人才）第一层次。

2000年，杨德仁被聘为第三批特聘教授。

2002年，杨德仁获得国家杰出青年科学基金资助。

2007年，杨德仁担任科技部“国家重点基础研究发展计划专项”（973）首席科学家。同年，入选国家人事部“新世纪百千万人才工程”国家级人选。

2016年，杨德仁入选“国家高层次人才特殊支持计划”（万人计划）领军人才。同年获得“全国五一劳动奖章”和“浙江省劳动模范”称号。2017年，杨德仁当选为中国科学院院士。

2018年11月13日，在亚洲硅业（青海）有限公司举行了杨德仁院士工作站揭牌仪式。

2020年5月11日，入选到2020年全国劳动模范和先进工作者推荐建议名单中。

2022年9月，杨德仁担任宁波市人才战略咨询委员会副主任委员。

• 科研综述

杨德仁主要从事半导体硅材料研究。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。

• 学术论著

截至2018年9月，杨德仁在国际学术刊物发表SCI检索论文730多篇，SCI论文他引12380多次，H因子58。

• 学术交流

截至2018年9月，杨德仁先后担任20多个国际学术会议（分会）主席，50多个国际学术会议的国际顾问、程序委员会委员。

• 承担项目

截至2018年9月，杨德仁先后主持和负责国家973、863、国家科技重大专项、国家自然科学基金重点、科技部、教育部和浙江省的重大、重点科技项目等科技项目。

• 科研成果奖励

截至2018年9月，杨德仁以第一获奖人获得国家自然科学二等奖2项，浙江省科学技术一等奖4项，省部级科学技术二等、三等奖及其它科技奖6项；以第二获奖人获得省部一、二、三等奖各1项。

• 团队建设

2006年杨德仁作为带头人的团队入选教育部“长江学者和创新团队发展计划”创新团队；2009年入选浙江省重点科技创新团队；2014年入选科技部创新人才推进计划重点领域创新团队；2017年入选国家中华人民共和国国家自然科学基金委员会创新研究群体。

杨德仁兼任国家重大科技专项（02）总体专家组成员，中国可再生能源学会常务理事，光伏专业委员会副主任，国务院学位委员会学科评审组成员，国家自然科学基金信息学部专家评审组成员，中国电子学会学术委员会委员，Member of SEMI China Technical Committee和Member of SEMI China PV Committee等，《Journal of Silicon》、《Physica Solidi State》等国际学术刊物编委。

2020年5月，根据浙政干〔2020〕8号文件批准：杨德仁任浙大宁波理工学院院长。

杨德仁在硅材料的基础研究上取得重大成果，在生产实际中也产生重大经济效益。杨德仁作为浙江大学硅材料国家重点实验室主任和浙江大学“材料物理与化学”（原半导体材料）学科负责人，在秉承学科优良传统的基础上，坚持以硅为核心的半导体材料研究为特色，紧紧围绕国家信息术和能源的发展战略目标，取得了系列重要原始创新成果。 （浙江大学评）

作为浙江大学材料物理与化学（半导体材料）学科负责人、硅材料国家重点实验室主任，杨德仁始终坚持以硅为核心的半导体材料研究工作，取得了系列重要原始创新成果。他在国际上首先提出了提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。先后在国际著名学术刊物发表SCI论文840多篇，被SCI论文他引16100多次，被国际著名出版社Elsevier连续评为（2014-2019年）中国（材料）论文高被引学者。作为第一完成人，杨德仁曾获国家自然科学奖二等奖2项、省部级科技一等奖4项。获全国五一劳动奖章、中国青年科技奖、全国优秀科技工作者、浙江省“十大时代先锋”等荣誉。

杨德仁也是我国第一位自行培养的半导体硅材料博士，毕业后的他始终坚守在本科和研究生的教学第一线。讲课幽默风趣的他，常常用生动的比喻将半导体材料的知识传授给学生，让学生在会心一笑中增长知识，深受学生欢迎。杨德仁先后指导了博士后、博士生和硕士生80多名。和团队的同事一起，言传身教，严谨治学，培养了同学们优秀的科研能力。在繁忙的科研工作中，他常常抽出时间和学生交心、交朋友，对学生的人生观等进行积极引导。在学生眼里，他既是一个认真、儒雅的学者，也是一个热心、温暖的“家长”。