1933年毕业于
中央大学物理系。1936年中央研究院物理研究所研究生毕业。1949年至1950年在
曼彻斯特大学进修。后任
中国科学院物理研究所副研究员。1958年带头开展人工
晶体生长的多种方法研究,填补了我国人工晶体学的空白。提出了单晶体X光
马克斯·冯·劳厄背射归咎总图的绘制和定向方法,找出了克服
人工水晶生长中“后期裂隙”的规律,研究了
相图和晶体生长的关系等。
吴乾章1910年10月17日出生于
海口市拔南村,原名吴宗朱。由于当时全
海南岛都没有高中,家庭拮据也无法在岛外上高中遂决定初中毕业后直接考大学,但当时没有高中文凭无法参加高考,正好族人吴乾章高中毕业无意高考于是吴宗朱“假名托姓”,一举夺魁。
1936年吴乾章研究生毕业,留任中研院物理所助理研究员。《纪念吴乾章先生诞辰一百周年》中记载:“
抗日战争期间,中研院物理所西迁至
广西壮族自治区、
贵州省和
重庆市等地,吴乾章先生等历尽艰辛,行程万里,保护和运送科研仪器和资料,并坚持一路进行地磁测量和普查。”
1941年9月,吴乾章等3人冒险穿越日占区到福建崇安,参加日全食与地磁场关系的观测,首次获得我国日全食对地磁影响的完整资料,写成《1941年日食观测报告》,发表于次年的《日食观测委员会专刊》。
吴乾章是“
中国硅酸盐学会晶体生长与材料专业委员会”的奠基人和创建者。上世纪中叶,我国从事晶体生长研究的人员不多,学术交流依托
中国物理学会进行。改革开放给了吴乾章极大的鼓舞,他认为适应形势变化,唯有组建晶体生长专业委员会,才能促进学科发展。1978年全国科学大会后,吴乾章发起筹建全国性的人工晶体生长学术团体,并担任晶体学研究室副主任、主任、所学术委员会委员等职。此外,还先后在中国原子能研究院、
中国硅酸盐学会、
北京硅酸盐学会、四机部11所、地质部地质力学研究所等单位兼职。